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      資 源

      芯片散熱仿真助力中國芯研發

      2020-03-10 1223

      問題提出:

          隨著5G時代的到來,移動通訊設備將承載更多的數據傳輸及數據運算的使命,高功率、高集成度的芯片將應運而生,以華為旗下海思芯片為代表中國逐步加大芯片研發投入。除了先進的芯片光刻工藝及電路設計技術研發,芯片的散熱性能也是芯片開發中重要環節。隨著CAE技術的普及,使用CAE技術進行芯片產品散熱性能優化已成為國內外廠家的不二選擇。

      項目挑戰:

         芯片微觀結構復雜、內部熱源眾多,給散熱仿真建模難度大,芯片體積小,散熱面積有限,散熱性能優化難度大。

      客戶價值:

          通過構建詳細的芯片電路模型、發熱模型、外部流場模型,可進行準確的芯片溫度場仿真計算,驗證設計方案的溫度指標。同時,根據溫度分布狀態可找到散熱性能提升的優化方向。通過CAE手段進行芯片產品的散熱計算可為設計提供理論支撐,減少試驗次數,可批量進行多方案優化,大大的提升產品開發效率。

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